检测项目
介电常数（εr）：测量范围1-1000，精度±0.5%
介质损耗因数（tanδ）：0.0001-0.1，分辨率0.00001
击穿电压：AC 0-50kV，DC 0-100kV
绝缘电阻：106-1015Ω，测试电压100V-1000V
温度特性：-55℃~+200℃温变条件下电容漂移率≤±5%
检测范围
高分子材料：聚四氟乙烯（PTFE）、聚酰亚胺薄膜
陶瓷介质：钛酸钡基陶瓷、氧化铝陶瓷
电解电容器：铝电解电容、钽电容
多层陶瓷电容器（MLCC）：X7R、NPO特性介质
电力电子器件：IGBT模块封装材料、高压套管
检测方法
介电强度测试：ASTM D149-09、GB/T 1408.1-2016
介质损耗测量：IEC 60250:1969、GB/T 1693-2007
电容温度特性：MIL-PRF-55681、SJ/T 1147-2017
绝缘电阻测试：ASTM D257-14、GB/T 1410-2006
高频特性分析：IPC TM-650 2.5.5.13、GB/T 6346.14-2015
检测设备
Keysight E4980A精密LCR表：10Hz-2MHz频段，四端对测量接口
Chroma 19050耐压测试仪：0-5kV AC/DC，500VA容量
Thermotron 3800温控箱：-70℃~+180℃循环，±0.5℃精度
Agilent 4294A阻抗分析仪：40Hz-110MHz，基本精度0.08%
HIOKI 3153绝缘电阻计：1000V测试电压，103-1016Ω量程
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
